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產(chǎn)品參考圖片
IRFHM8363TRPBF 圖片
IRFHM8363TRPBF
  • 制造廠商：IR（國際整流器公司）
  • 類別封裝：場效應(yīng)管陣列，8-PQFN
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
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    技術(shù)參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：IRFHM8363TRPBF
  • 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
  • 系列：HEXFET
  • FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：11A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：14.9 毫歐 @ 10A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1165pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：2.7W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝：8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33
  • 現(xiàn)在可以訂購IRFHM8363TRPBF，國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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