

經(jīng)過(guò)擴(kuò)充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封裝和表面貼裝封裝,其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式 (ME) DirectFET封裝,可提供大電流密度,有效縮減整體系統(tǒng)尺寸并降低成本,適用于空間受限的大功率工業(yè)設(shè)計(jì)。
全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款器件,均配有可提升低頻率應(yīng)用性能的極低導(dǎo)通電阻、極高的載流能力、軟體二極管和有助于提高噪聲免疫力的3V典型閥值電壓。該系列的每款器件都完全通過(guò)業(yè)界最高雪崩電流級(jí)別的雪崩測(cè)試,能夠?yàn)橐髧?yán)格的工業(yè)應(yīng)用提供最堅(jiān)固耐用的解決方案。
IR亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“IR廣泛的60V StrongIRFET MOSFET產(chǎn)品系列具有適合工業(yè)市場(chǎng)的低導(dǎo)通電阻和大電流能力,并提供多種封裝選擇,使設(shè)計(jì)師能夠基于性?xún)r(jià)比標(biāo)準(zhǔn)靈活選擇最適合其應(yīng)用的器件!
與DirectFET系列的其它器件一樣,全新IRF7580M中罐式封裝器件提供能改善可靠性的無(wú)鍵合線設(shè)計(jì)。DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 的所有要求,例如提供完全不含鉛的物料清單,因此非常適合長(zhǎng)生命周期的設(shè)計(jì)。而其它同類(lèi)高性能封裝則采用含鉛的裸片貼裝,雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定第7(a) 項(xiàng)豁免條款,但這項(xiàng)豁免將于2016年到期。
